Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах

Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/46196

Title:	Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах
Authors:	Шут, В. Н. Мозжаров, С. Е. Кашевич, И. Ф.
Keywords:	доменные границы заряженные доменные границы сегнетоэлектрики
Issue Date:	2025
Publisher:	Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова
Citation:	Шут, В. Н. Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах / В. Н. Шут, С. Е. Мозжаров, И. Ф. Кашевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 77-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 28 февраля 2025 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2025. – С. 55-57. – Библиогр.: с. 57 (5 назв.).
Abstract:	Доменные стенки в сегнетоэлектриках с ЗДГ могут быть нейтральными, слабо и сильно заряженными в зависимости от величины угла отклонения от полярного направления. Рассмотрены возможности формирования доменных структур с ЗДГ в процессе роста без воздействия внешних полей. Показано, что электропроводность различается не только между ЗДГ и материалом, но и между ЗДГ разного типа, что обусловлено различной подвижностью соответствующих носителей.
URI:	https://rep.vsu.by/handle/123456789/46196
ISBN:	978-985-30-0215-7
Appears in Collections:	Наука - образованию, производству, экономике : материалы 77-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 28 февраля 2025 г. / [редкол.: Е. Я. Аршанский (гл. ред.) [и др.]] ; Министерство образования Республики Беларусь, Учреждение образования "Витебский государственный университет имени П. М. Машерова". - Электрон. текст. дан. (1 файл, 13,6 МБ). - Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2025. - 524 с. - URL : https://rep.vsu.by/handle/123456789/46407