Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах

Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.vsu.by/handle/123456789/46196

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Шут, В. Н.	-
dc.contributor.author	Мозжаров, С. Е.	-
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.	-
dc.date.accessioned	2025-03-06T00:00:17Z	-
dc.date.available	2025-03-06T00:00:17Z	-
dc.date.issued	2025	-
dc.identifier.citation	Шут, В. Н. Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах / В. Н. Шут, С. Е. Мозжаров, И. Ф. Кашевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 77-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 28 февраля 2025 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2025. – С. 55-57. – Библиогр.: с. 57 (5 назв.).	ru_RU
dc.identifier.isbn	978-985-30-0215-7	-
dc.identifier.other	b507abb0b084d1e281d15889cfe9a714	-
dc.identifier.uri	https://rep.vsu.by/handle/123456789/46196	-
dc.description.abstract	Доменные стенки в сегнетоэлектриках с ЗДГ могут быть нейтральными, слабо и сильно заряженными в зависимости от величины угла отклонения от полярного направления. Рассмотрены возможности формирования доменных структур с ЗДГ в процессе роста без воздействия внешних полей. Показано, что электропроводность различается не только между ЗДГ и материалом, но и между ЗДГ разного типа, что обусловлено различной подвижностью соответствующих носителей.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова	ru_RU
dc.subject	доменные границы	ru_RU
dc.subject	заряженные доменные границы	ru_RU
dc.subject	сегнетоэлектрики	ru_RU
dc.title	Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU
Располагается в коллекциях:	Наука - образованию, производству, экономике : материалы 77-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 28 февраля 2025 г. / [редкол.: Е. Я. Аршанский (гл. ред.) [и др.]] ; Министерство образования Республики Беларусь, Учреждение образования "Витебский государственный университет имени П. М. Машерова". - Электрон. текст. дан. (1 файл, 13,6 МБ). - Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2025. - 524 с. - URL : https://rep.vsu.by/handle/123456789/46407