Репозиторий Витебского государственного университета имени П. М. Машерова: Browsing DSpace

Browsing by Author Мозжаров, С. Е.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:

Showing results 1 to 20 of 45 next >

Issue Date	Title	Author(s)
2018	Атомно-силовая микроскопия кристаллов триглицинсульфата с профильным распределением хрома	Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Белугина, Н. В.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2015	Влияние скорости роста кристаллов ТГС-ТГС+Cr на формирование регулярной примесной структуры	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2015	Влияние ультразвуковой активации порошков на основе титаната бария на электрофизические свойства конденсаторной керамики, полученной по толстопленочной технологии	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Полейко, А. Д.; Мастыко, Л. П.; Кашевич, И. Ф.; Shut, V. N.; Mozzharov, S. E.; Poleyko, A. D.; Mastyko, L. P.; Kashevich, I. F.
2014	Влияние ультразвуковой активации порошков на плотность керамики, полученной по толстопленочной технологии	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Полейко, А. Д.; Мастык, Л. П.; Кашевич, И. Ф.
2012	Выращивание кристаллов с послойно-периодической структурой	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2021	Выращивание сегнетоэлектрических монокристаллов ТГС с послойно-периодическим изменением состава	Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.
2013	Диэлектрические свойства слоистых кристаллов ТГС-ТГС:СR	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2016	Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α – и L-α – аланина	Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.
2024	Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах	Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2005	Закономерности ультразвуковой кристаллизации растворов	Толочко, Н. К.; Мозжаров, С. Е.
2025	Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2017	Исследование доменной структуры и процессов поляризации кристаллов ТГС с плавным градиентом концентрации примеси L-α-аланина	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2018	Исследование доменной структуры и свойств кристаллов TGS с периодическим распределением рацемической примеси D,L- α-аланина	Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2017	Исследование доменной структуры кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-а - и L-а - аланина, методами АСМ-микроскопии	Толстихина, А. Н.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2012	Исследование доменной структуры кристаллов ТГС с периодическим послойным распределением примеси	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2015	Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси	Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.
2008	Исследование закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин	Бохан, Ю. И.; Толочко, Н. К.; Хлопков, Ю. В.; Мозжаров, С. Е.; Шиенок, Ю. А.; Дубаневич, Д. Т.; Каменков, В. С.; Пряхин, С. С.; Пеньшин, С. Н.; Сергеев, Л. Е.
2014	Исследование оптических свойств кристаллов ТГС-ТГС:Cr{+3}	Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.
2019	Исследование примесных фаз в неоднородных сегнетоэлектрических кристаллах TGS методом сканирующей емкостной силовой микроскопии	Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Лашкова, А. К.; Белугина, Н. В.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2012	Исследование процессов переполяризации кристаллов ТГС с периодической примесной структурой	Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.