Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/24782
Title: Исследование закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин
Authors: Бохан, Ю. И.
Толочко, Н. К.
Хлопков, Ю. В.
Мозжаров, С. Е.
Шиенок, Ю. А.
Дубаневич, Д. Т.
Каменков, В. С.
Пряхин, С. С.
Пеньшин, С. Н.
Сергеев, Л. Е.
Keywords: геттерирование
кремниевые полупроводниковые пластины
лазерная обработка
лазерное геттерирование
научно-исследовательские отчеты
научно-исследовательские работы
отчеты о НИР
полупроводники
Issue Date: 2008
Publisher: Витебск : УО "ВГУ им. П. М. Машерова"
Citation: Исследование закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин : (материалы в технике 2.04) : отчет о НИР (промежут.) / науч. рук. Ю. И. Бохан ; [исполн.: Ю. И. Бохан, Н. К. Толочко, Ю. В. Хлопков, С. Е. Мозжаров, Ю. А. Шиенок, Д. Т. Дубаневич [и др.]] ; М-во образования Республики Беларусь, УО "ВГУ им. П. М. Машерова". – Витебск, 2008. – 49 л. : ил. – Библиогр.: л. 44-45.-№ ГР 20061951 от 23.06.2006.
Abstract: Цель работы: определить режимы лазерного геттерирования, исключающих трещинообразование в кремниевых пластинах; определить доминирующие факторы лазерного геттерирования и разработать требования к стабильности режимов лазерного геттерирования с учетом степени их влияния на структурное модифицирование кремниевых пластин; установить оптимальные сочетания энергетических, пространственных и временных характеристик лазерного геттерирования, обеспечивающие управляемое структурное модифицирование кремниевых пластин; разработать научные подходы к исследованию корреляции между структурными свойствами кремниевых пластин, подвергнутых лазерному геттерированию, и электрофизическими свойствами создаваемых на них полупроводниковых структур.
URI: https://rep.vsu.by/handle/123456789/24782
Appears in Collections:Отчеты о НИР-2008

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Бохан 2.pdf91.57 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Ранжирование:
OpenAIRE
Индексирование:
OpenAIRE OpenDOAR base search roar worldcat core road road
Ресурсы наших партнёров:
Репозиторий Белорусского национального технического университета
Электронная библиотека Белорусского государственного университета
Электронная библиотека Гомельского государственного технического университета имени П.О.Сухого
Электронный архив библиотеки МГУ имени А.А. Кулешова
Репозиторий Полесского государственного университета
Электронная библиотека Полоцкого государственного университета
Научный репозиторий Могилевского института МВД Республики Беларусь