Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α – и L-α – аланина

Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/43474

Title:	Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α – и L-α – аланина
Authors:	Толстихина, А. Л. Белугина, Н. В. Гайнутдинов, Р. В. Иванова, Е. С. Лашкова, А. К. Шут, В. Н. Кашевич, И. Ф. Мозжаров, С. Е.
Issue Date:	2016
Publisher:	Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и Фотоника" Российской академии наук, Российская академия наук, Отделение физических наук
Citation:	Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α – и L-α – аланина / А. Л. Толстихина [и др.], И. Ф. Кашевич [и др.] // Кристаллография. – 2016. – Т. 61, № 6. – С. 975–981.
Series/Report no.:	Кристаллография;Т. 61, № 6
Abstract:	Проведено комплексное исследование доменной структуры и диэлектрических свойств кристаллов триглицинсульфата (TGS), послойно легированных примесью D,L-α-аланина (DLATGS) и L-α-аланина (LATGS). Методом микроскопии пьезоэлектрического отклика получены изображения слоев DLATGS и LATGS, сегнетоэлектрических доменов, определены параметры доменной структуры и степень униполярности. Установлено, что слои DLATGS полидоменные, а полосы LATGS преимущественно монодоменные. Данные измерений макроскопических диэлектрических свойств кристаллов сопоставлены с результатами микроскопического анализа доменной структуры.
URI:	https://rep.vsu.by/handle/123456789/43474
ISSN:	0023-4761
Appears in Collections:	Научные публикации (2016)