Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α – и L-α – аланина

Abstract

Проведено комплексное исследование доменной структуры и диэлектрических свойств кристаллов триглицинсульфата (TGS), послойно легированных примесью D,L-α-аланина (DLATGS) и L-α-аланина (LATGS). Методом микроскопии пьезоэлектрического отклика получены изображения слоев DLATGS и LATGS, сегнетоэлектрических доменов, определены параметры доменной структуры и степень униполярности. Установлено, что слои DLATGS полидоменные, а полосы LATGS преимущественно монодоменные. Данные измерений макроскопических диэлектрических свойств кристаллов сопоставлены с результатами микроскопического анализа доменной структуры.