Исследовать закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин

Бохан, Ю. И.; Дубаневич, Д. Т.; Каменков, В. С.; Коршиков, Ф. П.; Мозжаров, С. Е.; Пеньшин, С. Н.; Пряхин, С. С.; Толочко, Н. К.; Хлопков, Ю. В.; Шиенок, Ю. А.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/24906

Title:	Исследовать закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин
Authors:	Бохан, Ю. И. Дубаневич, Д. Т. Каменков, В. С. Коршиков, Ф. П. Мозжаров, С. Е. Пеньшин, С. Н. Пряхин, С. С. Толочко, Н. К. Хлопков, Ю. В. Шиенок, Ю. А.
Keywords:	кремниевые полупроводниковые пластины кремний лазерная обработка лазерное геттерирование материаловедение научно-исследовательские отчеты научно-исследовательские работы отчеты о НИР полупроводниковые материалы распределение температур
Issue Date:	2010
Publisher:	Витебск : УО "ВГУ им. П. М. Машерова"
Citation:	Исследовать закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин : отчет о НИР (заключ.) за 2006-2010 гг. : ГКПНИ "Материалы в технике", задание "Материалы в технике 2.04" / науч. рук. Ю. И. Бохан ; [исполн.: Д. Т. Дубаневич, Ф. П. Коршиков, Н. К. Толочко [и др.]] ; М-во образования Республики Беларусь, УО "ВГУ им. П. М. Машерова". – Витебск, 2010. – 222 л. : ил. – Библиогр.: л. 207-210.-№ ГР 20062005 от 16.11.2006.
Abstract:	Цель работы - исследование закономерностей и оптимизация процессов лазерного генерирования кремниевых полупроводниковых пластин.
URI:	https://rep.vsu.by/handle/123456789/24906
Appears in Collections:	Отчеты о НИР-2010