Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.vsu.by/handle/123456789/24906
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБохан, Ю. И.-
dc.contributor.authorДубаневич, Д. Т.-
dc.contributor.authorКаменков, В. С.-
dc.contributor.authorКоршиков, Ф. П.-
dc.contributor.authorМозжаров, С. Е.-
dc.contributor.authorПеньшин, С. Н.-
dc.contributor.authorПряхин, С. С.-
dc.contributor.authorТолочко, Н. К.-
dc.contributor.authorХлопков, Ю. В.-
dc.contributor.authorШиенок, Ю. А.-
dc.date.accessioned2020-11-11T12:06:10Z-
dc.date.available2020-11-11T12:06:10Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationИсследовать закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин : отчет о НИР (заключ.) за 2006-2010 гг. : ГКПНИ "Материалы в технике", задание "Материалы в технике 2.04" / науч. рук. Ю. И. Бохан ; [исполн.: Д. Т. Дубаневич, Ф. П. Коршиков, Н. К. Толочко [и др.]] ; М-во образования Республики Беларусь, УО "ВГУ им. П. М. Машерова". – Витебск, 2010. – 222 л. : ил. – Библиогр.: л. 207-210.-№ ГР 20062005 от 16.11.2006.ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.vsu.by/handle/123456789/24906-
dc.description.abstractЦель работы - исследование закономерностей и оптимизация процессов лазерного генерирования кремниевых полупроводниковых пластин.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherВитебск : УО "ВГУ им. П. М. Машерова"ru_RU
dc.subjectкремниевые полупроводниковые пластиныru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectлазерная обработкаru_RU
dc.subjectлазерное геттерированиеru_RU
dc.subjectматериаловедениеru_RU
dc.subjectнаучно-исследовательские отчетыru_RU
dc.subjectнаучно-исследовательские работыru_RU
dc.subjectотчеты о НИРru_RU
dc.subjectполупроводниковые материалыru_RU
dc.subjectраспределение температурru_RU
dc.titleИсследовать закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластинru_RU
dc.typeBookru_RU
Располагается в коллекциях:Отчеты о НИР-2010

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Бохан. Исследовать закономерности.pdf168.18 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

Ранжирование:
OpenAIRE
Индексирование:
OpenAIRE OpenDOAR base search roar worldcat core road road
Ресурсы наших партнёров:
Репозиторий Белорусского национального технического университета
Электронная библиотека Белорусского государственного университета
Электронная библиотека Гомельского государственного технического университета имени П.О.Сухого
Электронный архив библиотеки МГУ имени А.А. Кулешова
Репозиторий Полесского государственного университета
Электронная библиотека Полоцкого государственного университета
Научный репозиторий Могилевского института МВД Республики Беларусь