Исследование закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин

Бохан, Ю. И.; Толочко, Н. К.; Хлопков, Ю. В.; Мозжаров, С. Е.; Шиенок, Ю. А.; Дубаневич, Д. Т.; Каменков, В. С.; Пряхин, С. С.; Пеньшин, С. Н.; Сергеев, Л. Е.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.vsu.by/handle/123456789/24782

Заглавие:	Исследование закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин
Авторы:	Бохан, Ю. И. Толочко, Н. К. Хлопков, Ю. В. Мозжаров, С. Е. Шиенок, Ю. А. Дубаневич, Д. Т. Каменков, В. С. Пряхин, С. С. Пеньшин, С. Н. Сергеев, Л. Е.
Ключевые слова:	геттерирование кремниевые полупроводниковые пластины лазерная обработка лазерное геттерирование научно-исследовательские отчеты научно-исследовательские работы отчеты о НИР полупроводники
Дата публикации:	2008
Издательство:	Витебск : УО "ВГУ им. П. М. Машерова"
Библиографическое описание:	Исследование закономерности модифицирования поверхностной структуры кремниевых полупроводников под действием лазерного излучения и разработать научные основы оптимизации технологических процессов лазерного геттерирования кремниевых полупроводниковых пластин : (материалы в технике 2.04) : отчет о НИР (промежут.) / науч. рук. Ю. И. Бохан ; [исполн.: Ю. И. Бохан, Н. К. Толочко, Ю. В. Хлопков, С. Е. Мозжаров, Ю. А. Шиенок, Д. Т. Дубаневич [и др.]] ; М-во образования Республики Беларусь, УО "ВГУ им. П. М. Машерова". – Витебск, 2008. – 49 л. : ил. – Библиогр.: л. 44-45.-№ ГР 20061951 от 23.06.2006.
Аннотация:	Цель работы: определить режимы лазерного геттерирования, исключающих трещинообразование в кремниевых пластинах; определить доминирующие факторы лазерного геттерирования и разработать требования к стабильности режимов лазерного геттерирования с учетом степени их влияния на структурное модифицирование кремниевых пластин; установить оптимальные сочетания энергетических, пространственных и временных характеристик лазерного геттерирования, обеспечивающие управляемое структурное модифицирование кремниевых пластин; разработать научные подходы к исследованию корреляции между структурными свойствами кремниевых пластин, подвергнутых лазерному геттерированию, и электрофизическими свойствами создаваемых на них полупроводниковых структур.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса):	https://rep.vsu.by/handle/123456789/24782
Располагается в коллекциях:	Отчеты о НИР-2008