| Предварительный просмотр | Дата издания | Название | Автор(ы) |
 | 2012 | Аппаратура и методы испытаний терморезисторов, предназначенных для работы в составе электронных балластов | Шут, В. Н.; Анищенко, Э. В.; Седловский, А. С.; Гаврилов, А. В. |
 | 2018 | Атомно-силовая микроскопия кристаллов триглицинсульфата с профильным распределением хрома | Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Белугина, Н. В.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2010 | Влияние конфигурации электродов на термоупругие напряжения в ПТКС терморезисторах | Шут, В. Н.; Гаврилов, А. В.; Ильющенко, Д. А. |
 | 2015 | Влияние скорости роста кристаллов ТГС-ТГС+Cr на формирование регулярной примесной структуры | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2015 | Влияние ультразвуковой активации порошков на основе титаната бария на электрофизические свойства конденсаторной керамики, полученной по толстопленочной технологии | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Полейко, А. Д.; Мастыко, Л. П.; Кашевич, И. Ф.; Shut, V. N.; Mozzharov, S. E.; Poleyko, A. D.; Mastyko, L. P.; Kashevich, I. F. |
 | 2014 | Влияние ультразвуковой активации порошков на плотность керамики, полученной по толстопленочной технологии | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Полейко, А. Д.; Мастык, Л. П.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2012 | Выращивание кристаллов с послойно-периодической структурой | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2021 | Выращивание сегнетоэлектрических монокристаллов ТГС с послойно-периодическим изменением состава | Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е. |
 | 2013 | Диэлектрические свойства слоистых кристаллов ТГС-ТГС:СR | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2016 | Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α – и L-α – аланина | Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е. |
 | 2017 | Доменная структура, электрические и механические свойства сегнетоэлектрических кристаллов ТГС с профильным распределением примеси хрома | Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Кашевич, И. Ф.; Лашкова, А. К.; Петржик, Е. А.; Толстихина, А. Л.; Шут, В. Н. |
 | 2024 | Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах | Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2025 | Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2017 | Исследование доменной структуры и процессов поляризации кристаллов ТГС с плавным градиентом концентрации примеси L-α-аланина | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2018 | Исследование доменной структуры и свойств кристаллов TGS с периодическим распределением рацемической примеси D,L- α-аланина | Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2017 | Исследование доменной структуры кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-а - и L-а - аланина, методами АСМ-микроскопии | Толстихина, А. Н.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2012 | Исследование доменной структуры кристаллов ТГС с периодическим послойным распределением примеси | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
 | 2015 | Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси | Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В. |
 | 2014 | Исследование оптических свойств кристаллов ТГС-ТГС:Cr{+3} | Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е. |
 | 2019 | Исследование примесных фаз в неоднородных сегнетоэлектрических кристаллах TGS методом сканирующей емкостной силовой микроскопии | Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Лашкова, А. К.; Белугина, Н. В.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф. |
