Репозиторий Витебского государственного университета имени П. М. Машерова: Browsing DSpace

Browsing by Author Лашкова, А. К.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:

Showing results 1 to 7 of 7

Issue Date	Title	Author(s)
2016	Доменная структура и свойства кристаллов TGS, послойно легированных примесью D,L-α – и L-α – аланина	Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.
2017	Доменная структура, электрические и механические свойства сегнетоэлектрических кристаллов ТГС с профильным распределением примеси хрома	Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Кашевич, И. Ф.; Лашкова, А. К.; Петржик, Е. А.; Толстихина, А. Л.; Шут, В. Н.
2024	Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах	Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2018	Исследование доменной структуры и свойств кристаллов TGS с периодическим распределением рацемической примеси D,L- α-аланина	Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2019	Исследование примесных фаз в неоднородных сегнетоэлектрических кристаллах TGS методом сканирующей емкостной силовой микроскопии	Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Лашкова, А. К.; Белугина, Н. В.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.
2022	Распределение примесей хрома в легированных слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS	Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Золотов, Д. А.; Рощин, Б. С.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Tolstikhina, A. L.; Gainutdinov, R. V.; Lashkova, A. K.; Zolotov, D. A.; Roschin, B. S.; Shut, V. N.; Mozzharov, S. E.; Kashevich, I. F.
2023	Ростовая структура кристаллов TGS, послойно легированных примесью хрома и L-α-аланина	Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Рощин, Б. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.