Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ

Лашкова, А. К.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Ширяев, А. А.; Иванова, А. Г.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/50118

Title:	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ
Authors:	Лашкова, А. К. Гайнутдинов, Р. В. Толстихина, А. Л. Ширяев, А. А. Иванова, А. Г. Шут, В. Н. Кашевич, И. Ф. Мозжаров, С. Е.
Keywords:	слоистые сегнетоэлектрики атомно-силовая микроскопия сканирующая зондовая микроскопия триглицинсульфат
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : Беларуская навука
Citation:	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.], И. Ф. Кашевич // Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии : сб. докладов ХIV Междунар. конф., посвящ. памяти Кузнецовой Татьяны Анатольевны, Минск, 21–24 октября 2025 г. – Минск : Беларуская навука, 2025. – С. 80–85.
Abstract:	Проведено комплексное исследование ростовой полосчатой структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями типа внедрения – хромом (Cr) и медью (Cu). В режиме сканирующей микроскопии пьезоотклика (СМП) получены панорамные изображения слоистой структуры кристаллов TGS – TGS + Cr. В режиме сканирующей емкостной силовой микроскопии (СЕСМ) изучена переходная область между полосами номинально чистого TGS и TGS с примесью хрома. Применены СЗМ-методики к образцу TGS – TGS + Cu, слоистая структура не обнаружена. Результаты СЗМ-исследований подтверждены рентгенофлуоресцентным анализом (РФлА).
URI:	https://rep.vsu.by/handle/123456789/50118
ISBN:	978-985-08-3343-3
Appears in Collections:	Научные публикации 2025