Сегнетоэлектрические кристаллы триглицинсульфата с профильным распределением примеси ионов хрома

Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Сырцов, С. Р.; Шнайдштейн, И. В.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.vsu.by/handle/123456789/43486

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Шут, В. Н.	-
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.	-
dc.contributor.author	Сырцов, С. Р.	-
dc.contributor.author	Шнайдштейн, И. В.	-
dc.date.accessioned	2024-06-04T08:40:14Z	-
dc.date.available	2024-06-04T08:40:14Z	-
dc.date.issued	2010	-
dc.identifier.citation	Сегнетоэлектрические кристаллы триглицинсульфата с профильным распределением примеси ионов хрома / В. Н. Шут, И. Ф. Кашевич [и др.] // Кристаллография. – 2010. – Т. 55, № 3. – С. 495–498.	ru_RU
dc.identifier.issn	0023-4761	-
dc.identifier.uri	https://rep.vsu.by/handle/123456789/43486	-
dc.description.abstract	Рассмотрены особенности сегнетоэлектрического поведения кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома. Петля диэлектрического гистерезиса образцов характеризуется большим сдвигом как вдоль оси поляризации, так и вдоль оси напряженности электрического поля. Полученные результаты хорошо объясняются в рамках феноменологического подхода при учете градиентного члена в разложении свободной энергии. Установлено, что коэффициент униполярности и пироэлектрический сигнал неоднородных кристаллов практически не изменяется при многократных циклах нагрева-охлаждения.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и Фотоника" Российской академии наук, Российская академия наук, Отделение физических наук	ru_RU
dc.relation.ispartofseries	Кристаллография;Т. 55, № 3	-
dc.title	Сегнетоэлектрические кристаллы триглицинсульфата с профильным распределением примеси ионов хрома	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU
Располагается в коллекциях:	Научные публикации (2010)