Сегнетоэлектрические кристаллы триглицинсульфата с профильным распределением примеси ионов хрома

Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Сырцов, С. Р.; Шнайдштейн, И. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/43486

Title:	Сегнетоэлектрические кристаллы триглицинсульфата с профильным распределением примеси ионов хрома
Authors:	Шут, В. Н. Кашевич, И. Ф. Сырцов, С. Р. Шнайдштейн, И. В.
Issue Date:	2010
Publisher:	Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и Фотоника" Российской академии наук, Российская академия наук, Отделение физических наук
Citation:	Сегнетоэлектрические кристаллы триглицинсульфата с профильным распределением примеси ионов хрома / В. Н. Шут, И. Ф. Кашевич [и др.] // Кристаллография. – 2010. – Т. 55, № 3. – С. 495–498.
Series/Report no.:	Кристаллография;Т. 55, № 3
Abstract:	Рассмотрены особенности сегнетоэлектрического поведения кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома. Петля диэлектрического гистерезиса образцов характеризуется большим сдвигом как вдоль оси поляризации, так и вдоль оси напряженности электрического поля. Полученные результаты хорошо объясняются в рамках феноменологического подхода при учете градиентного члена в разложении свободной энергии. Установлено, что коэффициент униполярности и пироэлектрический сигнал неоднородных кристаллов практически не изменяется при многократных циклах нагрева-охлаждения.
URI:	https://rep.vsu.by/handle/123456789/43486
ISSN:	0023-4761
Appears in Collections:	Научные публикации (2010)