Регулярная система резонансно туннельных диодов для анализа сигналов

Бохан, Ю. И.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/26849

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Бохан, Ю. И.	-
dc.date.accessioned	2021-05-19 11:21:00.000+03	-
dc.date.available	2021-05-19 11:21:00.000+03	-
dc.date.issued	2021	-
dc.identifier.citation	Бохан, Ю. И. Регулярная система резонансно туннельных диодов для анализа сигналов / Ю. И. Бохан // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 73-й Регион. науч.-практ. конф. преподавателей, науч. сотрудников и аспирантов, Витебск, 11 марта 2021 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2021. – С. 11–12. – Библиогр.: с. 12 (1 назв.).	ru_RU
dc.identifier.other	1e8c85bf02ad7ae233f161214f4eb0d8	-
dc.identifier.uri	https://rep.vsu.by/handle/123456789/26849	-
dc.description.abstract	Для анализа протекания тока через регулярную структуру предложено использовать метод нейросетей, в частности Хопфилда. Данный метод позволяет построить образ внешнего воздействия по изменению условий протекания тока между барьерами.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова	ru_RU
dc.subject	наноструктуры	ru_RU
dc.subject	нейросети	ru_RU
dc.subject	резонансно туннельные диоды	ru_RU
dc.subject	физика	ru_RU
dc.subject	электрическая проводимость	ru_RU
dc.subject	электрический ток	ru_RU
dc.title	Регулярная система резонансно туннельных диодов для анализа сигналов	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU
Appears in Collections:	Наука – образованию, производству, экономике : материалы 73-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 11 марта 2021 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2021. – 634 с.