Доменная структура, электрические и механические свойства сегнетоэлектрических кристаллов ТГС с профильным распределением примеси хрома

Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Иванова, Е. С.; Кашевич, И. Ф.; Лашкова, А. К.; Петржик, Е. А.; Толстихина, А. Л.; Шут, В. Н.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.vsu.by/handle/123456789/43473

Заглавие:	Доменная структура, электрические и механические свойства сегнетоэлектрических кристаллов ТГС с профильным распределением примеси хрома
Авторы:	Белугина, Н. В. Гайнутдинов, Р. В. Иванова, Е. С. Кашевич, И. Ф. Лашкова, А. К. Петржик, Е. А. Толстихина, А. Л. Шут, В. Н.
Дата публикации:	2017
Издательство:	Московский технологический университет (МИРЭА)
Библиографическое описание:	Доменная структура, электрические и механические свойства сегнетоэлектрических кристаллов ТГС с профильным распределением примеси хрома / Н. В. Белугина [и др.], И. Ф. Кашевич [и др.] // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. – 2017. – Т. 17, № 2. – С. 242–245.
Серия/номер:	Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения;Т. 17, № 2
URI (Унифицированный идентификатор ресурса):	https://rep.vsu.by/handle/123456789/43473
Располагается в коллекциях:	Научные публикации (2017)