Распределение примесей хрома в легированных слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS

Abstract

Путем периодического доращивания затравки кристалла в растворах разного состава получены кристаллы триглицинсульфата, послойно легированные неизоморфной примесью ионов хрома (TGS-TGS+Cr). Впервые методами рентгенофлуоресцентного анализа исследовано пространственное распределение примесного состава кристаллов триглицинсульфата TGS-TGS+Cr с ростовой периодической примесной структурой. Установлено, что примесь в кристалле распределена по синусоидальному закону. Выявлена корреляция образования регулярной доменной структуры и характера распределения примеси для слоистых кристаллов TGS-TGS+Cr. Формирование доменных стенок происходит преимущественно на участках, соответствующих изменению градиента концентрации примеси, причем в местах изменения знака с положительного на отрицательный формируются гладкие стенки, а с отрицательного на положительный – граница доменов имеет изрезанный, неровный контур. = Triglycine sulfate crystals layer-by-layer doped with a non-isomorphic impurity of chromium ions (TGS-TGS+Cr) were obtained by periodically growing the crystal seed in solutions of different compositions. For the first time, the spatial distribution of the impurity composition of triglycine sulfate TGS-TGS+Cr crystals with a growth periodic impurity structure has been studied by X-ray fluorescence analysis. It is established that the impurity in the crystal is distributed according to a sinusoidal law. A correlation was found between the formation of a regular domain structure and the nature of the impurity distribution for layered TGS-TGS+Cr crystals. The formation of domain walls occurs mainly in areas corresponding to a change in the impurity concentration gradient, and in places where the sign changes from positive to negative, smooth walls are formed, and from negative to positive, the domain boundary has a rough, uneven contour.