Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr

Толстихина, А. Л.; Рощин, Б. С.; Кашевич, И. Ф.; Шут, В. Н.; Мозжаров С. Е.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.vsu.by/handle/123456789/31563

Заглавие:	Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr
Авторы:	Толстихина, А. Л. Рощин, Б. С. Кашевич, И. Ф. Шут, В. Н. Мозжаров С. Е.
Ключевые слова:	кристаллография легированные кристаллы триглицинсульфат хром
Дата публикации:	2022
Издательство:	Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова
Библиографическое описание:	Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr / А. Л. Толстихина, Б. С. Рощин, И. Ф. Кашевич [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 74-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 18 февраля 2022 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2022. – С. 46-48. – Библиогр.: с. 48 (1 назв.).
Аннотация:	Целью работы явилось получение слоистых сегнетоэлектрических монокристаллов триглицинсульфата, легированных хромом, и исследование профильного распределения примесей хрома по объему кристаллов.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса):	https://rep.vsu.by/handle/123456789/31563
ISBN:	978-985-517-869-0
Располагается в коллекциях:	Наука – образованию, производству, экономике : материалы 74-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 18 февраля 2022 г. ‒ Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2022. ‒ 537, [1] с.