Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr

Толстихина, А. Л.; Рощин, Б. С.; Кашевич, И. Ф.; Шут, В. Н.; Мозжаров С. Е.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/31563

Title:	Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr
Authors:	Толстихина, А. Л. Рощин, Б. С. Кашевич, И. Ф. Шут, В. Н. Мозжаров С. Е.
Keywords:	кристаллография легированные кристаллы триглицинсульфат хром
Issue Date:	2022
Publisher:	Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова
Citation:	Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr / А. Л. Толстихина, Б. С. Рощин, И. Ф. Кашевич [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 74-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 18 февраля 2022 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2022. – С. 46-48. – Библиогр.: с. 48 (1 назв.).
Abstract:	Целью работы явилось получение слоистых сегнетоэлектрических монокристаллов триглицинсульфата, легированных хромом, и исследование профильного распределения примесей хрома по объему кристаллов.
URI:	https://rep.vsu.by/handle/123456789/31563
ISBN:	978-985-517-869-0
Appears in Collections:	Наука – образованию, производству, экономике : материалы 74-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 18 февраля 2022 г. ‒ Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2022. ‒ 537, [1] с.