Выращивание сегнетоэлектрических монокристаллов ТГС с послойно-периодическим изменением состава

Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.vsu.by/handle/123456789/26881

Заглавие:	Выращивание сегнетоэлектрических монокристаллов ТГС с послойно-периодическим изменением состава
Авторы:	Шут, В. Н. Кашевич, И. Ф. Мозжаров, С. Е.
Ключевые слова:	ионы кристаллография кристаллы монокристаллы примеси сегнетоэлектрики
Дата публикации:	2021
Издательство:	Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова
Библиографическое описание:	Шут, В. Н. Выращивание сегнетоэлектрических монокристаллов ТГС с послойно-периодическим изменением состава / В. Н. Шут, И. Ф. Кашевич , С. Е. Мозжаров // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 73-й Регион. науч.-практ. конф. преподавателей, науч. сотрудников и аспирантов, Витебск, 11 марта 2021 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2021. – С. 73–75. – Библиогр.: с. 75 (2 назв.).
Аннотация:	Изучается влияния условий роста на вхождение примесей в сегнетоэлектрические кристаллы, выращиваемые из растворов и формирование регулярной примесной структуры с одинаковым периодом номинально чистой и примесной областей.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса):	https://rep.vsu.by/handle/123456789/26881
Располагается в коллекциях:	Наука – образованию, производству, экономике : материалы 73-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 11 марта 2021 г. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2021. – 634 с.