Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения

Лашкова, А. К.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Ширяев, А. А.; Иванова, А. Г.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.; Сипаков, И. Е.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rep.vsu.by/handle/123456789/49853

Title:	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения
Authors:	Лашкова, А. К. Гайнутдинов, Р. В. Толстихина, А. Л. Ширяев, А. А. Иванова, А. Г. Шут, В. Н. Кашевич, И. Ф. Мозжаров, С. Е. Сипаков, И. Е.
Keywords:	кристаллография кристаллы триглицинсульфата легирующие примеси сегнетоэлектрики сканирующая зондовая микроскопия физика
Issue Date:	2026
Publisher:	Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова
Citation:	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 78-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 22-23 января 2026 г. : текстовое электронное издание. – Витебск : ВГУ имени П. М. Машерова, 2026. – С. 33-35. – Библиогр.: с. 35 (3 назв.).
Abstract:	Целью данной работы является проведение комплексного исследования доменной и ростовой полосчатой структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями типа внедрения - хромом (Cr) и медью (Cu).
URI:	https://rep.vsu.by/handle/123456789/49853
ISBN:	978-985-30-0301-7
Appears in Collections:	Наука - образованию, производству, экономике, 2026